ASEMDC1-ZR-T3 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ASEMDC1-ZR-T3, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ASEMDC1-ZR-T3 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ASEMDC1-ZR-T3 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ASEMDC1-ZR-T3
- Part Number:
- ASEMDC1-ZR-T3
- Producent:
- Abracon Corporation
- Opis:
- OSC MEMS CONFIGURABLE OUTPUT
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 56551 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.ASEMDC1-ZR-T3.pdf2.ASEMDC1-ZR-T3.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 2.25 V ~ 3.6 V |
| Rodzaj: | XO (Standard) |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| Seria: | Pure Silicon™ ASEMDC |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 14-VFQFN Exposed Pad |
| Wydajność: | CMOS |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 15 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość: | 0.035" (0.90mm) |
| Funkcjonować: | Enable/Disable |
| Stabilność częstotliwości: | ±25ppm |
| Częstotliwość - Wyjście 2: | 24MHz, 25MHz, 27MHz, 48MHz, 50MHz, 54MHz, 125MHz |
| Częstotliwość - Wyjście 1: | 24MHz, 25MHz, 27MHz, 40MHz, 50MHz |
| szczegółowy opis: | CMOS XO (Standard) Pin Configurable Oscillator 2.25 V ~ 3.6 V 14-VFQFN Exposed Pad |
| Obecny - Dostawa (Max): | 32mA (Typ) |
| Obecny - Dostawa (Wyłącz) (maks): | 23mA |
| Rezonator bazowy: | MEMS |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ASEMDC1-ZR-T3
Latest Aktualności
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe