AS5311-ATSU jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla AS5311-ATSU, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla AS5311-ATSU przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup AS5311-ATSU z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
AS5311-ATSU
- Part Number:
- AS5311-ATSU
- Producent:
- ams
- Opis:
- ROTARY ENCODER MECHANICAL
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 52552 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- AS5311-ATSU.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 3.3V, 5V |
| Termination Style: | SMD (SMT) Tab |
| Seria: | - |
| Cykle obrotowa natura (min): | - |
| Impulsów na obrót: | - |
| Typ wyjścia: | PWM |
| Inne nazwy: | 179910019 AS5311-ASSU AS5311-ASSU-ND AS5311ATSU |
| Orientacja: | - |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Encoder Type: | Mechanical |
| samoblokujący: | No |
| Wbudowany wyłącznik: | No |
| Typ urządzenia uruchamiającego: | External Magnet, Not Included |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do AS5311-ATSU
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny