APXE4R0ARA122MHC0G jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla APXE4R0ARA122MHC0G, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla APXE4R0ARA122MHC0G przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup APXE4R0ARA122MHC0G z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
APXE4R0ARA122MHC0G
- Part Number:
- APXE4R0ARA122MHC0G
- Producent:
- Nippon Chemi-Con
- Opis:
- CAP ALUM POLY 1200UF 20% 4V SMD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 52841 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- APXE4R0ARA122MHC0G.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 4V |
| Rodzaj: | Polymer |
| Tolerancja: | ±20% |
| Montaż powierzchniowy Powierzchnia gruntu: | 0.327" L x 0.327" W (8.30mm x 8.30mm) |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.315" Dia (8.00mm) |
| Seria: | NPCAP™-PXE |
| Ripple Current @ High Frequency: | 5.4A @ 100kHz |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | Radial, Can - SMD |
| Inne nazwy: | 565-3185-2 APXE4R0ARA122MHCOG |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 105°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 16 Weeks |
| Żywotność @ Temp.: | 2000 Hrs @ 105°C |
| Główny odstęp: | - |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.472" (12.00mm) |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 9 mOhm |
| szczegółowy opis: | 1200µF 4V Aluminum Polymer Capacitor Radial, Can - SMD 9 mOhm 2000 Hrs @ 105°C |
| Pojemność: | 1200µF |
| Aplikacje: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do APXE4R0ARA122MHC0G
Latest Aktualności
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?
- Nand pamięć flash trwa, MCU Destock Bottom jest w porządku
- Pod AI Air Outlet, dwaj główni giganci chipów są „nie mocne”: rozbijanie pieniędzy na złamanie gry, zakładaj się na bitwy drużynowe 2025