APT10035LLLG jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla APT10035LLLG, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla APT10035LLLG przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup APT10035LLLG z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
APT10035LLLG
- Part Number:
- APT10035LLLG
- Producent:
- Microsemi
- Opis:
- MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 58968 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- APT10035LLLG.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Test: | 5185pF @ 25V |
| Napięcie - Podział: | TO-264 [L] |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 350 mOhm @ 14A, 10V |
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Seria: | POWER MOS 7® |
| Stan RoHS: | Tube |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 28A (Tc) |
| Polaryzacja: | TO-264-3, TO-264AA |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | APT10035LLLG |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 186nC @ 10V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 5V @ 2.5mA |
| Cecha FET: | N-Channel |
| Rozszerzony opis: | N-Channel 1000V (1kV) 28A (Tc) 690W (Tc) Through Hole TO-264 [L] |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | - |
| Opis: | MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 1000V (1kV) |
| Stosunek pojemności: | 690W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do APT10035LLLG
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen