AOZ1935QI jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla AOZ1935QI, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla AOZ1935QI przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup AOZ1935QI z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
AOZ1935QI
- Part Number:
- AOZ1935QI
- Producent:
- Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
- Opis:
- IC LED DRVR RGLTR DIM 20MA 16QFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 22021 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- AOZ1935QI.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - przyłącze (min): | 2.7V |
| Napięcie - zasilanie (maks.): | 25V |
| Napięcie - Wyjście: | 40V |
| Rodzaj: | DC DC Regulator |
| topologia: | Step-Up (Boost) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 16-QFN (3x3) |
| Seria: | EZBoost™ |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 16-VQFN Exposed Pad |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Liczba wyjść: | 3 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Przełącznik wewnętrzny (e): | Yes |
| Częstotliwość: | 800kHz |
| Ściemnianie: | PWM |
| szczegółowy opis: | LED Driver IC 3 Output DC DC Regulator Step-Up (Boost) PWM Dimming 20mA 16-QFN (3x3) |
| Obecny - Wyjście / Channel: | 20mA |
| Aplikacje: | Backlight |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do AOZ1935QI
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash