AIS1120SXTR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla AIS1120SXTR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla AIS1120SXTR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup AIS1120SXTR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
AIS1120SXTR
- Part Number:
- AIS1120SXTR
- Producent:
- STMicroelectronics
- Opis:
- MEMS ACCELERATION SENSOR: SINGLE
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 50111 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.AIS1120SXTR.pdf2.AIS1120SXTR.pdf3.AIS1120SXTR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 3.13 V ~ 3.47 V |
| Rodzaj: | Digital |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-SOIC |
| Seria: | Automotive, AEC-Q100 |
| Czułość (mV / g): | - |
| Czułość (LSB / g): | 68 |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Typ wyjścia: | SPI |
| Inne nazwy: | 497-17054-2 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 105°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 24 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| cechy: | Adjustable Bandwidth |
| szczegółowy opis: | Accelerometer X Axis ±120g 400Hz 8-SOIC |
| Pasmo: | 400Hz |
| Oś: | X |
| Zakres Acceleration: | ±120g |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do AIS1120SXTR
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash