AFT05MS031NR1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla AFT05MS031NR1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla AFT05MS031NR1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup AFT05MS031NR1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
AFT05MS031NR1
- Part Number:
- AFT05MS031NR1
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- FET RF 40V 520MHZ TO-270-2
- Status bezołowiowy:
- Zawiera RoHS / RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 53010 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- AFT05MS031NR1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Test: | 13.6V |
| Napięcie - znamionowe: | 40V |
| Typ tranzystora: | LDMOS |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-270-2 |
| Seria: | - |
| Moc - Wyjście: | 31W |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | TO-270AA |
| Inne nazwy: | AFT05MS031NR1CT |
| noise Figure: | - |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS Compliant |
| Zdobyć: | 17.7dB |
| Częstotliwość: | 520MHz |
| szczegółowy opis: | RF Mosfet LDMOS 13.6V 10mA 520MHz 17.7dB 31W TO-270-2 |
| Aktualna ocena: | - |
| Obecny - Test: | 10mA |
| Podstawowy numer części: | AFT05MS031 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do AFT05MS031NR1
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny