ADR03AUJ-R2 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ADR03AUJ-R2, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ADR03AUJ-R2 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ADR03AUJ-R2 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ADR03AUJ-R2
- Part Number:
- ADR03AUJ-R2
- Producent:
- ADI (Analog Devices, Inc.)
- Opis:
- IC VREF SERIES 2.5V TSOT23-5
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 35247 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ADR03AUJ-R2.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Wyjście (Min / Fixed): | 2.5V |
| Napięcie - Wejście: | 4.5 V ~ 36 V |
| Tolerancja: | ±0.2% |
| Współczynnik temperaturowy: | 25ppm/°C |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TSOT-5 |
| Seria: | - |
| Typ referencyjny: | Series |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
| Typ wyjścia: | Fixed |
| Inne nazwy: | ADR03AUJ-R2CT |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Hałas - od 10 Hz do 10 kHz: | - |
| Hałas - od 0,1 Hz do 10 Hz: | 6µVp-p |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| szczegółowy opis: | Series Voltage Reference IC ±0.2% 10mA TSOT-5 |
| Obecny - Dostawa: | 1mA |
| Obecny - Wyjście: | 10mA |
| Podstawowy numer części: | ADR03 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ADR03AUJ-R2
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash