ADL5562ACPZ-R7 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ADL5562ACPZ-R7, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ADL5562ACPZ-R7 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ADL5562ACPZ-R7 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ADL5562ACPZ-R7
- Part Number:
- ADL5562ACPZ-R7
- Producent:
- ADI (Analog Devices, Inc.)
- Opis:
- IC OPAMP RF/IF DIFF 16LFCSP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 25978 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ADL5562ACPZ-R7.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - zasilanie, pojedyncze / podwójne (±): | 3 V ~ 3.6 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 16-LFCSP-VQ (3x3) |
| Szybkość narastania: | 9800 V/µs |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 16-VFQFN Exposed Pad, CSP |
| Typ wyjścia: | Differential |
| Inne nazwy: | ADL5562ACPZ-R7TR ADL5562ACPZR7 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba obwodów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 22 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | RF/IF Differential Amplifier 1 Circuit Differential 16-LFCSP-VQ (3x3) |
| Obecny - Dostawa: | 80mA |
| Obecny - diagonalna wejściowe: | 3µA |
| Podstawowy numer części: | ADL5562 |
| Amplifier Type: | RF/IF Differential |
| 3dB Pasmo: | 3.3GHz |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ADL5562ACPZ-R7
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC