AD5245BRJZ10-R2 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla AD5245BRJZ10-R2, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla AD5245BRJZ10-R2 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup AD5245BRJZ10-R2 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
AD5245BRJZ10-R2
- Part Number:
- AD5245BRJZ10-R2
- Producent:
- ADI (Analog Devices, Inc.)
- Opis:
- IC DGTL POT 256POS SOT23-8
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 36344 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- AD5245BRJZ10-R2.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 2.7 V ~ 5.5 V |
| Tolerancja: | ±30% |
| Współczynnik temperaturowy (Typ): | 45 ppm/°C |
| Stożek: | Linear |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SOT-23-8 |
| Seria: | - |
| Odporność - Wiper (Ohms) (Typ): | 50 |
| Oporność (Ohm): | 10k |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | SOT-23-8 |
| Inne nazwy: | AD5245BRJZ10-R2-ND AD5245BRJZ10-R2TR AD5245BRJZ10R2 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Liczba kranów: | 256 |
| Liczba obwodów: | 1 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Typ pamięci: | Volatile |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Berło: | I²C |
| cechy: | Selectable Address |
| szczegółowy opis: | Digital Potentiometer 10k Ohm 1 Circuit 256 Taps I²C Interface SOT-23-8 |
| Konfiguracja: | Potentiometer |
| Podstawowy numer części: | AD5245 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do AD5245BRJZ10-R2
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny