ABL2-8.000MHZ-D3W-I-T jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ABL2-8.000MHZ-D3W-I-T, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ABL2-8.000MHZ-D3W-I-T przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ABL2-8.000MHZ-D3W-I-T z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ABL2-8.000MHZ-D3W-I-T
- Part Number:
- ABL2-8.000MHZ-D3W-I-T
- Producent:
- Abracon Corporation
- Opis:
- CRYSTAL 8.0000MHZ 18PF T/H
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 43214 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ABL2-8.000MHZ-D3W-I-T.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | MHz Crystal |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.453" L x 0.197" W (11.50mm x 5.00mm) |
| Seria: | ABL2 |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | HC-49/US |
| Inne nazwy: | 535-14340-2 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Tryb pracy: | Fundamental |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | Not Applicable |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 11 Weeks |
| pojemność obciążenia: | 18pF |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.098" (2.50mm) |
| częstotliwość Tolerancja: | ±25ppm |
| Stabilność częstotliwości: | ±25ppm |
| Częstotliwość: | 8MHz |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 80 Ohms |
| szczegółowy opis: | 8MHz ±25ppm Crystal 18pF 80 Ohms HC-49/US |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ABL2-8.000MHZ-D3W-I-T
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash