82V3355TFG8 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 82V3355TFG8, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 82V3355TFG8 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 82V3355TFG8 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
82V3355TFG8
- Part Number:
- 82V3355TFG8
- Producent:
- IDT (Integrated Device Technology)
- Opis:
- IC PLL WAN SYNC ETH 64-TQFP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 48700 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 82V3355TFG8.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 3 V ~ 3.6 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 64-TQFP (10x10) |
| Seria: | - |
| Ratio - Wejście: Wyjście: | 3:2 |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 64-LQFP |
| PLL: | Yes |
| Wydajność: | CMOS, LVDS, PECL |
| Inne nazwy: | IDT82V3355TFG8 IDT82V3355TFG8-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba obwodów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Główny cel: | Ethernet, SONET/SDH, Stratum |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wkład: | CMOS, LVDS, PECL |
| Częstotliwość - Max: | 622.08MHz |
| Różnica - Wejście: Wyjście: | Yes/Yes |
| Podstawowy numer części: | IDT82V3355 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 82V3355TFG8
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny