753083104GTR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 753083104GTR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 753083104GTR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 753083104GTR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
753083104GTR
- Part Number:
- 753083104GTR
- Producent:
- CTS Electronic Components
- Opis:
- RES ARRAY 4 RES 100K OHM 8SRT
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 36215 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 753083104GTR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±2% |
| Współczynnik temperaturowy: | ±200ppm/°C |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.245" L x 0.080" W (6.22mm x 2.03mm) |
| Seria: | 753 |
| Resistor-Ratio-Drift: | - |
| Współczynnik dopasowania rezystora: | - |
| Oporność (Ohm): | 100k |
| Moc na element: | 80mW |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8-SRT |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Liczba rezystorów: | 4 |
| Ilość Pins: | 8 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.100" (2.53mm) |
| szczegółowy opis: | 100k Ohm ±2% 80mW Power Per Element Isolated 4 Resistor Network/Array ±200ppm/°C 8-SRT |
| Rodzaj obwodu: | Isolated |
| Aplikacje: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 753083104GTR
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny