74LVCE1G02FZ4 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 74LVCE1G02FZ4, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 74LVCE1G02FZ4 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 74LVCE1G02FZ4 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
74LVCE1G02FZ4
- Part Number:
- 74LVCE1G02FZ4
- Producent:
- Diodes Incorporated
- Opis:
- IC GATE NOR 1CH 2-INP DFN1410-6
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 20086 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 74LVCE1G02FZ4.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 1.4 V ~ 5.5 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | X2-DFN1410-6 |
| Seria: | 74LVCE |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 6-XFDFN |
| Inne nazwy: | 1034-74LVCE1G02FZ4DITR |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba wejść: | 2 |
| Liczba obwodów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Max Opóźnienie propagacji @ V Max CL: | 3.6ns @ 5V, 50pF |
| Logic Type: | NOR Gate |
| Poziom Logic - Niska: | 0.7 V ~ 0.8 V |
| Poziom Logic - Wysoka: | 1.7 V ~ 2 V |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | NOR Gate IC 1 Channel X2-DFN1410-6 |
| Obecny - spoczynkowy (Max): | 10µA |
| High Output, Niska - Bieżąca: | 32mA, 32mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 74LVCE1G02FZ4
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash