74LVC2G132DCUTE4 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 74LVC2G132DCUTE4, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 74LVC2G132DCUTE4 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 74LVC2G132DCUTE4 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
74LVC2G132DCUTE4
- Part Number:
- 74LVC2G132DCUTE4
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC GATE NAND 2CH 2-INP US8
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 41068 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 74LVC2G132DCUTE4.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Podział: | US8 |
| wyczucie czasu: | 32mA, 32mA |
| Shell Style: | 1.65 V ~ 5.5 V |
| Seria: | 74LVC |
| Wejście Przerzutnik Schmitta: | 1.16 V ~ 3.33 V |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Stosunek - S / H: ADC: | 2 |
| Polaryzacja: | 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width) |
| Orientacja: | 2 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Ilość bitów na element: | NAND Gate |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 6 Weeks |
| Numer części producenta: | 74LVC2G132DCUTE4 |
| Poziom Logic - Wysoka: | 0.39 V ~ 1.87 V |
| cechy: | Schmitt Trigger |
| Rozszerzony opis: | NAND Gate IC 2 Channel Schmitt Trigger US8 |
| Opis: | IC GATE NAND 2CH 2-INP US8 |
| Obecny - spoczynkowy: | 6ns @ 5V, 50pF |
| CMRR, PSRR (Typ): | 10µA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 74LVC2G132DCUTE4
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen