74LVC1G175GW,125 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 74LVC1G175GW,125, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 74LVC1G175GW,125 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 74LVC1G175GW,125 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
74LVC1G175GW,125
- Part Number:
- 74LVC1G175GW,125
- Producent:
- Nexperia
- Opis:
- IC FF D-TYPE SNGL 1BIT 6TSSOP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 52279 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 74LVC1G175GW,125.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 1.65 V ~ 5.5 V |
| Rodzaj: | D-Type |
| Typ wyzwalania: | Positive Edge |
| Seria: | 74LVC |
| Opakowania: | Original-Reel® |
| Package / Case: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Typ wyjścia: | Non-Inverted |
| Inne nazwy: | 1727-6069-6 568-7761-6 568-7761-6-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Ilość elementów: | 1 |
| Ilość bitów na element: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Max Opóźnienie propagacji @ V Max CL: | 4ns @ 5V, 50pF |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 13 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa: | 2.5pF |
| Funkcjonować: | Reset |
| Current - Spoczynkowy (Iq): | 40µA |
| High Output, Niska - Bieżąca: | 32mA, 32mA |
| Częstotliwość zegara: | 200MHz |
| Podstawowy numer części: | 74LVC1G175 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 74LVC1G175GW,125
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC