74HCT9046AD,112 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 74HCT9046AD,112, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 74HCT9046AD,112 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 74HCT9046AD,112 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
74HCT9046AD,112
- Part Number:
- 74HCT9046AD,112
- Producent:
- Nexperia
- Opis:
- IC PLL BAND GAP CNTRL VCO 16SOIC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 58654 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 74HCT9046AD,112.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Rodzaj: | Phase Lock Loop (PLL) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 16-SO |
| Seria: | 74HCT |
| Ratio - Wejście: Wyjście: | 2:2 |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| PLL: | Yes |
| Wydajność: | Clock |
| Inne nazwy: | 1727-3806 568-3978-5 568-3978-5-ND 74HCT9046AD 74HCT9046AD-ND 74HCT9046AD112 935044180112 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Liczba obwodów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 13 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wkład: | Clock |
| Częstotliwość - Max: | 19MHz |
| Przegroda / Mnożnik: | No/No |
| Różnica - Wejście: Wyjście: | No/No |
| Podstawowy numer części: | 74HCT9046A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 74HCT9046AD,112
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny