74HCT4075N,652 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 74HCT4075N,652, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 74HCT4075N,652 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 74HCT4075N,652 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
74HCT4075N,652
- Part Number:
- 74HCT4075N,652
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- IC GATE OR 3CH 3-INP 14DIP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 29335 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 74HCT4075N,652.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 14-DIP |
| Seria: | 74HCT |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Inne nazwy: | 568-7855-5 74HCT4075N 74HCT4075N,652-ND 74HCT4075N-ND 933668990652 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Liczba wejść: | 3 |
| Liczba obwodów: | 3 |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Max Opóźnienie propagacji @ V Max CL: | 24ns @ 4.5V, 50pF |
| Logic Type: | OR Gate |
| Poziom Logic - Niska: | 0.8V |
| Poziom Logic - Wysoka: | 2V |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | OR Gate IC 3 Channel 14-DIP |
| Obecny - spoczynkowy (Max): | 2µA |
| High Output, Niska - Bieżąca: | 4mA, 4mA |
| Podstawowy numer części: | 74HCT4075 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 74HCT4075N,652
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash