74FST3383DWR2 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 74FST3383DWR2, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 74FST3383DWR2 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 74FST3383DWR2 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
74FST3383DWR2
- Part Number:
- 74FST3383DWR2
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- IC BUS EXCHANGE 10BIT LP 24SOIC
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 39157 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 74FST3383DWR2.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Źródło napięcia zasilania: | Single Supply |
| Napięcie - Dostawa: | 4 V ~ 5.5 V |
| Rodzaj: | Bus FET Exchange Switch |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 24-SOIC |
| Seria: | 74FST |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Inne nazwy: | 74FST3383DWR2OS |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| niezależne obwody: | 1 |
| szczegółowy opis: | Bus FET Exchange Switch 5 x 2:2 24-SOIC |
| High Output, Niska - Bieżąca: | - |
| Obwód: | 5 x 2:2 |
| Podstawowy numer części: | 74FST3383 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 74FST3383DWR2
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny