74AXP1T125GNH jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 74AXP1T125GNH, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 74AXP1T125GNH przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 74AXP1T125GNH z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
74AXP1T125GNH
- Part Number:
- 74AXP1T125GNH
- Producent:
- Nexperia
- Opis:
- IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 6XSON
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 57000 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.74AXP1T125GNH.pdf2.74AXP1T125GNH.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - VCCB: | 1.2V ~ 5.5V |
| Napięcie - VCCA: | 0.7V ~ 2.75V |
| Typ tłumacza: | Voltage Level |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 6-XSON (0.9x1) |
| Seria: | 74AXP |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 6-XFDFN |
| Typ wyjścia: | Tri-State |
| Sygnał wyjściowy: | - |
| Inne nazwy: | 1727-2479-2 568-12910-2 568-12910-2-ND 74AXP1T125GN,125 935306986125 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Liczba obwodów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 13 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Sygnał wejściowy: | - |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | Voltage Level Translator Unidirectional 1 Circuit 1 Channel 6-XSON (0.9x1) |
| Szybkość przesyłania danych: | - |
| Kanały na obwód: | 1 |
| Baza-emiter Napięcie nasycenia (Max): | Unidirectional |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 74AXP1T125GNH
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny