74ACT11257DBR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 74ACT11257DBR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 74ACT11257DBR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 74ACT11257DBR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
74ACT11257DBR
- Part Number:
- 74ACT11257DBR
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC QUAD 2-1 MUX 3-ST 20-SSOP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 41625 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 74ACT11257DBR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Źródło napięcia zasilania: | Single Supply |
| Napięcie - Dostawa: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Rodzaj: | Multiplexer |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 20-SSOP |
| Seria: | 74ACT |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 20-SSOP (0.209", 5.30mm Width) |
| Inne nazwy: | 296-4194-2 74ACT11257DBRE4 74ACT11257DBRE4-ND 74ACT11257DBRG4 74ACT11257DBRG4-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| niezależne obwody: | 1 |
| szczegółowy opis: | Multiplexer 4 x 2:1 20-SSOP |
| High Output, Niska - Bieżąca: | 24mA, 24mA |
| Obwód: | 4 x 2:1 |
| Podstawowy numer części: | 74ACT11257 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 74ACT11257DBR
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny