744761222C jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 744761222C, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 744761222C przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 744761222C z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
744761222C
- Part Number:
- 744761222C
- Producent:
- Wurth Electronics
- Opis:
- FIXED IND 220NH 250MA 1.8 OHM
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 59013 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 744761222C.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | Wirewound |
| Tolerancja: | ±5% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 0603 (1608 Metric) |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.065" L x 0.045" W (1.65mm x 1.15mm) |
| Zastawianie: | Unshielded |
| Seria: | WE-KI |
| oceny: | - |
| P @ Częstotliwość: | 25 @ 100MHz |
| Opakowania: | Original-Reel® |
| Package / Case: | 0603 (1608 Metric) |
| Inne nazwy: | 732-1771-6 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiał - Rdzeń: | Ceramic |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 18 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość indukcyjności - test: | 100MHz |
| Indukcyjność: | 220nH |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.043" (1.10mm) |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | 900MHz |
| szczegółowy opis: | 220nH Unshielded Wirewound Inductor 250mA 1.8 Ohm Max 0603 (1608 Metric) |
| DC Resistance (DCR): | 1.8 Ohm Max |
| Aktualna ocena: | 250mA |
| Obecny - Nasycenie: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 744761222C
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash