742C043223JTR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 742C043223JTR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 742C043223JTR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 742C043223JTR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
742C043223JTR
- Part Number:
- 742C043223JTR
- Producent:
- CTS Electronic Components
- Opis:
- RES ARRAY 2 RES 22K OHM 0606
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 47413 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 742C043223JTR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±5% |
| Współczynnik temperaturowy: | ±200ppm/°C |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.063" L x 0.063" W (1.60mm x 1.60mm) |
| Seria: | 742 |
| Resistor-Ratio-Drift: | - |
| Współczynnik dopasowania rezystora: | - |
| Oporność (Ohm): | 22k |
| Moc na element: | 62.5mW |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 0606, Concave |
| Inne nazwy: | 742-043-223JTR 742-043-R223TR 742-043-R223TR-ND 742043223JTR |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Liczba rezystorów: | 2 |
| Ilość Pins: | 4 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.028" (0.70mm) |
| szczegółowy opis: | 22k Ohm ±5% 62.5mW Power Per Element Isolated 2 Resistor Network/Array ±200ppm/°C 0606, Concave |
| Rodzaj obwodu: | Isolated |
| Aplikacje: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 742C043223JTR
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash