7201LA50TDB jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 7201LA50TDB, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 7201LA50TDB przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 7201LA50TDB z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
7201LA50TDB
- Part Number:
- 7201LA50TDB
- Producent:
- IDT (Integrated Device Technology)
- Opis:
- IC MEM FIFO 512X9 50NS 28TCERDIP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 20681 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.7201LA50TDB.pdf2.7201LA50TDB.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 4.5V ~ 5.5V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 28-ThinCerDip |
| Seria: | 7200 |
| retransmisji Capability: | Yes |
| Programowalne Flagi Pomoc: | No |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 28-CDIP (0.300", 7.62mm) |
| Inne nazwy: | IDT7201LA50TDB IDT7201LA50TDB-ND Q7630622 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Rozmiar pamięci: | 4.5K (512 x 9) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Funkcjonować: | Asynchronous |
| Pomoc FWFT: | No |
| Rodzaj Expansion: | Depth, Width |
| Szybkość przesyłania danych: | 15MHz |
| Obecny - Dostawa (Max): | 80mA |
| Autobus Directional: | Uni-Directional |
| Podstawowy numer części: | 7201 |
| Czas dostępu: | 50ns |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 7201LA50TDB
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny