672D337F025DT4D jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 672D337F025DT4D, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 672D337F025DT4D przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 672D337F025DT4D z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
672D337F025DT4D
- Part Number:
- 672D337F025DT4D
- Producent:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Opis:
- CAP ALUM 330UF 25V RADIAL
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 44961 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 672D337F025DT4D.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 25V |
| Tolerancja: | -10%, +50% |
| Montaż powierzchniowy Powierzchnia gruntu: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.492" Dia (12.50mm) |
| Seria: | 672D |
| Ripple Current @ Low Frequency: | 1.225A @ 120Hz |
| Ripple Current @ High Frequency: | 1.75A @ 100kHz |
| oceny: | - |
| Polaryzacja: | Polar |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Radial, Can |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 105°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 21 Weeks |
| Żywotność @ Temp.: | - |
| Główny odstęp: | 0.197" (5.00mm) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Impedancja: | 100 mOhms |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 1.346" (34.20mm) |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 290 mOhm @ 120Hz |
| szczegółowy opis: | 330µF 25V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can 290 mOhm @ 120Hz |
| Pojemność: | 330µF |
| Aplikacje: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 672D337F025DT4D
Latest Aktualności
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe