610SJR00200-T jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 610SJR00200-T, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 610SJR00200-T przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 610SJR00200-T z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
610SJR00200-T
- Part Number:
- 610SJR00200-T
- Producent:
- Ohmite
- Opis:
- RES 0.002 OHM 5% 1W C BEND
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 47565 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 610SJR00200-T.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±5% |
| Współczynnik temperaturowy: | ±350ppm/°C |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SMD |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.441" L x 0.126" W (11.20mm x 3.20mm) |
| Seria: | 60S |
| Tryb panel: | 2 mOhms |
| Moc (W): | 1W |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | Strip, C Bend |
| Inne nazwy: | 610SJR00200TR 610SJR002T |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 155°C |
| Liczba zakończeń: | 2 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.154" (3.90mm) |
| cechy: | Current Sense, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| szczegółowy opis: | 2 mOhms ±5% 1W Chip Resistor Strip, C Bend Current Sense, Flame Proof, Moisture Resistant, Safety Metal Element |
| Kompozycja: | Metal Element |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 610SJR00200-T
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny