5962F1120201VXA jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 5962F1120201VXA, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 5962F1120201VXA przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 5962F1120201VXA z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
5962F1120201VXA
- Part Number:
- 5962F1120201VXA
- Producent:
- Cypress Semiconductor
- Opis:
- IC SRAM 72M PARALLEL 165CCGA
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 59323 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 5962F1120201VXA.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Zapisać czas cyklu - słowo, strona: | - |
| Napięcie - Dostawa: | 1.7 V ~ 1.9 V |
| Technologia: | SRAM - Synchronous, QDR II+ |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 165-CCGA (21x25) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 165-BFCCGA |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C (TA) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Typ pamięci: | Volatile |
| Rozmiar pamięci: | 72Mb (2M x 36) |
| Interfejs pamięci: | Parallel |
| Format pamięci: | SRAM |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 28 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| szczegółowy opis: | SRAM - Synchronous, QDR II+ Memory IC 72Mb (2M x 36) Parallel 250MHz 165-CCGA (21x25) |
| Częstotliwość zegara: | 250MHz |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 5962F1120201VXA
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash