4669-155K jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 4669-155K, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 4669-155K przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 4669-155K z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
4669-155K
- Part Number:
- 4669-155K
- Producent:
- API Delevan
- Opis:
- FIXED IND 1.5MH 100MA 14.26 OHM
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 55330 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 4669-155K.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | Wirewound |
| Tolerancja: | ±10% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.387" L x 0.165" W (9.83mm x 4.19mm) |
| Zastawianie: | Unshielded |
| Seria: | 4669 |
| oceny: | - |
| P @ Częstotliwość: | 75 @ 250kHz |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Radial |
| Inne nazwy: | 4669-155K BULK 50 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Materiał - Rdzeń: | Ferrite |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Częstotliwość indukcyjności - test: | 250kHz |
| Indukcyjność: | 1.5mH |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.310" (7.87mm) |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | - |
| szczegółowy opis: | 1.5mH Unshielded Wirewound Inductor 100mA 14.26 Ohm Max Radial |
| DC Resistance (DCR): | 14.26 Ohm Max |
| Aktualna ocena: | 100mA |
| Obecny - Nasycenie: | 190mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 4669-155K
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny