4610X-101-150LF jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 4610X-101-150LF, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 4610X-101-150LF przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 4610X-101-150LF z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
4610X-101-150LF
- Part Number:
- 4610X-101-150LF
- Producent:
- Bourns, Inc.
- Opis:
- RES ARRAY 9 RES 15 OHM 10SIP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 50076 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 4610X-101-150LF.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±1 Ohm |
| Współczynnik temperaturowy: | ±250ppm/°C |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 10-SIP |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.998" L x 0.098" W (25.35mm x 2.49mm) |
| Seria: | 4600X |
| Resistor-Ratio-Drift: | - |
| Współczynnik dopasowania rezystora: | - |
| Oporność (Ohm): | 15 |
| Moc na element: | 200mW |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | 10-SIP |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Liczba rezystorów: | 9 |
| Ilość Pins: | 10 |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 15 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.200" (5.08mm) |
| szczegółowy opis: | 15 Ohm ±1 Ohm 200mW Power Per Element Bussed 9 Resistor Network/Array ±250ppm/°C 10-SIP |
| Rodzaj obwodu: | Bussed |
| Aplikacje: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 4610X-101-150LF
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash