4600-072LF jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 4600-072LF, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 4600-072LF przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 4600-072LF z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
4600-072LF
- Part Number:
- 4600-072LF
- Producent:
- CTS Electronic Components
- Opis:
- CAP FEEDTHRU 0.15UF 200V AXIAL
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 38777 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.4600-072LF.pdf2.4600-072LF.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 200V |
| Tolerancja: | - |
| Rozmiar wątku: | 1/4"-28 |
| Współczynnik temperaturowy: | X7R |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.385" Dia x 0.501" L (9.78mm x 12.37mm) |
| Seria: | 4600 |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Axial, Bushing - 1 QC Lead |
| Inne nazwy: | 4600072LF |
| temperatura robocza: | - |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 16 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Insertion Loss: | 60dB @ 1GHz |
| Wysokość (max): | - |
| szczegółowy opis: | 0.15µF Feed Through Capacitor 200V 20A Axial, Bushing - 1 QC Lead |
| Oporność DC (DCR) (maks.): | - |
| Aktualny, bieżący: | 20A |
| Pojemność: | 0.15µF |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 4600-072LF
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash