4420P-T04-101 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 4420P-T04-101, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 4420P-T04-101 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 4420P-T04-101 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
4420P-T04-101
- Part Number:
- 4420P-T04-101
- Producent:
- Bourns, Inc.
- Opis:
- RES ARRAY 10 RES 100 OHM 20SOIC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 52494 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 4420P-T04-101.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±2% |
| Współczynnik temperaturowy: | ±100ppm/°C |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 20-SOL |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.510" L x 0.295" W (12.95mm x 7.50mm) |
| Seria: | 4400P |
| Resistor-Ratio-Drift: | 50 ppm/°C |
| Współczynnik dopasowania rezystora: | - |
| Oporność (Ohm): | 100 |
| Moc na element: | 160mW |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Liczba rezystorów: | 10 |
| Ilość Pins: | 20 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 14 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.114" (2.90mm) |
| szczegółowy opis: | 100 Ohm ±2% 160mW Power Per Element Isolated 10 Resistor Network/Array ±100ppm/°C 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Rodzaj obwodu: | Isolated |
| Aplikacje: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 4420P-T04-101
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash