3SBH1230A2 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 3SBH1230A2, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 3SBH1230A2 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 3SBH1230A2 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
3SBH1230A2
- Part Number:
- 3SBH1230A2
- Producent:
- Agastat Relays / TE Connectivity
- Opis:
- RELAY GEN PURPOSE 4PDT 2A 28V
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 46126 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 3SBH1230A2.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Włącz napięcie (maks): | 13.5 VDC |
| Wyłącz napięcie (Min): | 1.5 VDC |
| Termination Style: | Solder Hook |
| przełączanie napięcia: | 28VDC - Nom |
| Seria: | Military, MIL-R-39016/53, 3SBH, CII |
| Czas Release: | 6ms |
| Relay Type: | General Purpose |
| Opakowania: | Bulk |
| Inne nazwy: | 1122-1009 1122-1009-MIL 2-1617076-5 A101559 A101559-ND M39016/53-011M |
| temperatura robocza: | -65°C ~ 125°C |
| Czas zadziałania: | 4ms |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 14 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| cechy: | Sealed - Hermetically |
| szczegółowy opis: | General Purpose Relay 4PDT (4 Form C) Chassis Mount |
| Kontakt Ocena (prąd stały): | 2A |
| Materiał styków: | - |
| Formularz kontaktowy: | 4PDT (4 Form C) |
| Napięcie cewki: | 26.5VDC |
| Coil Type: | Non Latching |
| Coil Resistance: | 720 Ohms |
| cewka zasilania: | 975 mW |
| Aktualny Coil: | 36.8mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 3SBH1230A2
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash