3613C5R6K jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 3613C5R6K, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 3613C5R6K przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 3613C5R6K z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
3613C5R6K
- Part Number:
- 3613C5R6K
- Producent:
- AMP Connectors / TE Connectivity
- Opis:
- FIXED IND 5.6UH 300MA 1.1 OHM
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 44720 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.3613C5R6K.pdf2.3613C5R6K.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | - |
| Tolerancja: | ±10% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 1812 |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
| Zastawianie: | Unshielded |
| Seria: | 3613C, Sigma Inductors |
| oceny: | - |
| P @ Częstotliwość: | 50 @ 7.96MHz |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 1812 (4532 Metric) |
| Inne nazwy: | 1-1624094-9 1-1624094-9-ND 116240949 A102550TR |
| temperatura robocza: | -30°C ~ 100°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiał - Rdzeń: | Ferrite |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 28 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość indukcyjności - test: | 7.96MHz |
| Indukcyjność: | 5.6µH |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.134" (3.40mm) |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | 33MHz |
| szczegółowy opis: | 5.6µH Unshielded Inductor 300mA 1.1 Ohm Max 1812 (4532 Metric) |
| DC Resistance (DCR): | 1.1 Ohm Max |
| Aktualna ocena: | 300mA |
| Obecny - Nasycenie: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 3613C5R6K
Latest Aktualności
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe