2SD21390PA jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 2SD21390PA, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 2SD21390PA przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 2SD21390PA z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
2SD21390PA
- Part Number:
- 2SD21390PA
- Producent:
- Panasonic
- Opis:
- TRANS NPN 60V 3A MT-4
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 48181 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 2SD21390PA.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 60V |
| Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC: | 1V @ 50mA, 2A |
| Typ tranzystora: | NPN |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | MT-4-A1 |
| Seria: | - |
| Moc - Max: | 2W |
| Opakowania: | Tape & Box (TB) |
| Package / Case: | 3-SIP |
| Inne nazwy: | 2SD2139-(TA) 2SD2139-TA 2SD213900A 2SD213900ATB 2SD213900ATB-ND 2SD21390PATB 2SD2139ATB 2SD2139ATB-ND |
| temperatura robocza: | 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Częstotliwość - Transition: | 50MHz |
| szczegółowy opis: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 3A 50MHz 2W Through Hole MT-4-A1 |
| DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 800 @ 500mA, 4V |
| Obecny - Collector odcięcia (Max): | 100µA |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 3A |
| Podstawowy numer części: | 2SD2139 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 2SD21390PA
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC