2SC536300L jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 2SC536300L, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 2SC536300L przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 2SC536300L z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
2SC536300L
- Part Number:
- 2SC536300L
- Producent:
- Panasonic
- Opis:
- TRANS NPN 6V 0.03A SS-MINI 3P
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 40238 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 2SC536300L.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 6V |
| Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC: | - |
| Typ tranzystora: | NPN |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SSmini3-G1 |
| Seria: | - |
| Moc - Max: | 125mW |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | SC-75, SOT-416 |
| Inne nazwy: | 2SC536300LTR |
| temperatura robocza: | 125°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Częstotliwość - Transition: | 10GHz |
| szczegółowy opis: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 6V 30mA 10GHz 125mW Surface Mount SSmini3-G1 |
| DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 40 @ 10mA, 3V |
| Obecny - Collector odcięcia (Max): | - |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 30mA |
| Podstawowy numer części: | 2SC5363 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 2SC536300L
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash