2N2326A jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 2N2326A, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 2N2326A przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 2N2326A z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
2N2326A
- Part Number:
- 2N2326A
- Producent:
- Microsemi
- Opis:
- SCR 200V 20UA TO205AA
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 40059 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 2N2326A.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Stan Wyłączony: | 200V |
| Napięcie - Brama wyzwalania (VGT) (maks): | 600mV |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-5 |
| Seria: | Military, MIL-PRF-19500/276 |
| Rodzaj SCR: | Sensitive Gate |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
| temperatura robocza: | -65°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| szczegółowy opis: | SCR 200V Sensitive Gate Through Hole TO-5 |
| Obecny - Na członkowskim (It (AV)) (Max): | 220mA |
| Obecny -. Non Rep Surge 50, 60Hz (ITSM): | - |
| Obecny - trzymaj (Ih) (maks): | 2mA |
| Obecny - Brama wyzwalania (IGT) (maks): | 20µA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 2N2326A
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC