23J10R jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 23J10R, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 23J10R przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 23J10R z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
23J10R
- Part Number:
- 23J10R
- Producent:
- Ohmite
- Opis:
- RES 10 OHM 3W 5% AXIAL
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 21489 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 23J10R.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie znamionowe - AC: | - |
| Napięcie - Working: | 3W |
| Napięcie - Podział: | Axial |
| Grubość (maks): | ±30ppm/°C |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.220" Dia x 0.516" L (5.60mm x 13.10mm) |
| Seria: | 20 |
| Stan RoHS: | Bulk |
| Polaryzacja: | Axial |
| Inne nazwy: | 23J10 |
| temperatura robocza: | - |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks |
| Numer części producenta: | 23J10R |
| Wysokość - Siedzą (Max): | - |
| cechy: | Flame Retardant Coating, Safety |
| FIFO: | 2 |
| Rozszerzony opis: | 10 Ohm ±5% 3W Through Hole Resistor Axial Flame Retardant Coating, Safety Wirewound |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±5% |
| Opis: | RES 10 OHM 3W 5% AXIAL |
| Okładziny, Typ obudowy: | Wirewound |
| Pasmo: | 10 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 23J10R
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny