205K100CS4G-FA jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 205K100CS4G-FA, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 205K100CS4G-FA przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 205K100CS4G-FA z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
205K100CS4G-FA
- Part Number:
- 205K100CS4G-FA
- Producent:
- Cornell Dubilier Electronics
- Opis:
- CAP ARRAY 2UF 100V 6SMD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 39768 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 205K100CS4G-FA.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 100V |
| Tolerancja: | ±10% |
| Współczynnik temperaturowy: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.500" L x 0.449" W (12.70mm x 11.40mm) |
| Seria: | Capstick® CS |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 6-SMD, Gull Wing |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 14 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.252" (6.40mm) |
| Materiał dielektryka: | Polymer, Metallized |
| szczegółowy opis: | 2µF Bussed Capacitor Array 100V 6-SMD, Gull Wing |
| Rodzaj obwodu: | Bussed |
| Pojemność: | 2µF |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 205K100CS4G-FA
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC