1SS413,L3M jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 1SS413,L3M, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 1SS413,L3M przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 1SS413,L3M z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
1SS413,L3M
- Part Number:
- 1SS413,L3M
- Producent:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Opis:
- DIODE SCHOTTKY 20V 50MA FSC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 28095 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1SS413,L3M.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 550mV @ 50mA |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 20V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | fSC |
| Prędkość: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 2-SMD, Flat Lead |
| Inne nazwy: | 1SS413 (TL3,T) 1SS413(TL3,T) 1SS413(TL3T)TR 1SS413(TL3T)TR-ND 1SS413,L3F 1SS413,L3F(B 1SS413,L3M(B 1SS413,L3M(T 1SS413L3FTR-ND 1SS413L3MTR 1SS413TL3T |
| Temperatura pracy - złącze: | 125°C (Max) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 16 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ diody: | Schottky |
| szczegółowy opis: | Diode Schottky 20V 50mA Surface Mount fSC |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 500nA @ 20V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io): | 50mA |
| Pojemność @ VR F: | 3.9pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 1SS413,L3M
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny