1N8026-GA jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 1N8026-GA, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 1N8026-GA przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 1N8026-GA z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
1N8026-GA
- Part Number:
- 1N8026-GA
- Producent:
- GeneSiC Semiconductor
- Opis:
- DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 23363 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1N8026-GA.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1.6V @ 2.5A |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 1200V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-257 |
| Prędkość: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Seria: | - |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 0ns |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-257-3 |
| Inne nazwy: | 1242-1113 1N8026GA |
| Temperatura pracy - złącze: | -55°C ~ 250°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 18 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Typ diody: | Silicon Carbide Schottky |
| szczegółowy opis: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 8A (DC) Through Hole TO-257 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 10µA @ 1200V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io): | 8A (DC) |
| Pojemność @ VR F: | 237pF @ 1V, 1MHz |
| Podstawowy numer części: | 1N8026 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 1N8026-GA
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny