1N5243A (DO-35) jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 1N5243A (DO-35), mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 1N5243A (DO-35) przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 1N5243A (DO-35) z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
1N5243A (DO-35)
- Part Number:
- 1N5243A (DO-35)
- Producent:
- Microsemi
- Opis:
- DIODE ZENER 13V 500MW DO35
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 41008 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1N5243A (DO-35).pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie Zenera - (nominalne) (Vz): | 13V |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1.5V @ 200mA |
| Tolerancja: | ±10% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | DO-35 |
| Seria: | - |
| Moc - Max: | 500mW |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Inne nazwy: | 1N5243A (DO-35)TR 1N5243A (DO-35)TR-ND 1N5243A(DO-35)TR 1N5243ADO35MSTR 1N5243ADO35MSTR-ND 1N5243BMSTR 1N5243BMSTR-ND 1N5243DO35 1N5243DO35MSTR 1N5243DO35MSTR-ND |
| temperatura robocza: | -65°C ~ 175°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Impedancja (Max) (Zzt): | 13 Ohms |
| szczegółowy opis: | Zener Diode 13V 500mW ±10% Through Hole DO-35 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 500nA @ 9.9V |
| Podstawowy numer części: | 1N5243 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 1N5243A (DO-35)
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash