1N3595-1E3 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 1N3595-1E3, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 1N3595-1E3 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 1N3595-1E3 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
1N3595-1E3
- Part Number:
- 1N3595-1E3
- Producent:
- Microsemi
- Opis:
- DIODE ZENER 125 V DO-35
- Status bezołowiowy:
- Zgodny z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 34777 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1N3595-1E3.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1V @ 200mA |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 125V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | DO-35 (DO-204AH) |
| Prędkość: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Seria: | - |
| Status RoHS: | RoHS Compliant |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 3µs |
| Package / Case: | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Temperatura pracy - złącze: | -65°C ~ 175°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 6 Weeks |
| Typ diody: | Standard |
| szczegółowy opis: | Diode Standard 125V 150mA Through Hole DO-35 (DO-204AH) |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 1nA @ 125V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io): | 150mA |
| Pojemność @ VR F: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 1N3595-1E3
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC