1EDN7511BXUSA1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 1EDN7511BXUSA1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 1EDN7511BXUSA1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 1EDN7511BXUSA1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
1EDN7511BXUSA1
- Part Number:
- 1EDN7511BXUSA1
- Opis:
- DRIVER IC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 33366 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1EDN7511BXUSA1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 4.5 V ~ 20 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | PG-SOT23-6-2 |
| Seria: | EiceDriver™ |
| Czas narastania / spadku (typ): | 6.5ns, 4.5ns |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | SOT-23-6 |
| Inne nazwy: | 1EDN7511BXUSA1-ND 1EDN7511BXUSA1TR SP001891288 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Częstotliwość wejściowa: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 52 Weeks |
| Napięcie logiczne - VIL, VIH: | 1.2V, 1.9V |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ wejścia: | Inverting, Non-Inverting |
| Typ bramy: | N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Konfiguracja napędzana: | Half-Bridge, Low-Side |
| szczegółowy opis: | Half-Bridge, Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting PG-SOT23-6-2 |
| Prąd - szczytowe wyjście (źródło, zlewozmywak): | 4A, 8A |
| Baza-emiter Napięcie nasycenia (Max): | Single |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 1EDN7511BXUSA1
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC