135D107X9010F6 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 135D107X9010F6, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 135D107X9010F6 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 135D107X9010F6 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
135D107X9010F6
- Part Number:
- 135D107X9010F6
- Producent:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Opis:
- CAP TANT 100UF 10V 10% AXIAL
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 36424 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 135D107X9010F6.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 10V |
| Rodzaj: | Hermetically Sealed |
| Tolerancja: | ±10% |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.296" Dia x 0.641" L (7.52mm x 16.28mm) |
| Seria: | 135D |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | Axial |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 200°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 14 Weeks |
| Producent Kod rozmiaru: | F |
| Żywotność @ Temp.: | - |
| Główny odstęp: | - |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | - |
| cechy: | Wet Tantalum |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 2.4 Ohm |
| szczegółowy opis: | 100µF Hermetically Sealed Tantalum Capacitors 10V Axial 2.4 Ohm |
| Pojemność: | 100µF |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 135D107X9010F6
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC