105HC3600K4TM6 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 105HC3600K4TM6, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 105HC3600K4TM6 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 105HC3600K4TM6 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
105HC3600K4TM6
- Part Number:
- 105HC3600K4TM6
- Producent:
- Illinois Capacitor
- Opis:
- CAP FILM 1UF 10% 600VAC CHAS MT
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 24086 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie znamionowe - DC: | - |
| Napięcie znamionowe - AC: | 600V |
| Tolerancja: | ±10% |
| Zakończenie: | Threaded, Female |
| Rozmiar / Wymiar: | 2.362" L x 2.362" W (60.00mm x 60.00mm) |
| Seria: | HC3 |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Nonstandard |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 23 Weeks |
| Główny odstęp: | - |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 1.189" (30.20mm) |
| cechy: | - |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 500 µOhms |
| Materiał dielektryka: | Polypropylene (PP) |
| szczegółowy opis: | 1µF Film Capacitor 600V Polypropylene (PP) Nonstandard |
| Pojemność: | 1µF |
| Aplikacje: | Conduction Cooled; High Pulse, DV/DT |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 105HC3600K4TM6
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny