04T1003FF jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 04T1003FF, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 04T1003FF przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 04T1003FF z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
04T1003FF
- Part Number:
- 04T1003FF
- Producent:
- Dale / Vishay
- Opis:
- THERM NTC 100KOHM 4247K BEAD
- Wielkość zbiorów:
- 47121 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 04T1003FF.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Seria: | - |
| Odporność na Ohm @ 25 ° C: | 100k |
| Tolerancja rezystancji: | ±1% |
| Moc - Max: | 50mW |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Bead |
| Inne nazwy: | 541-3523 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 22 Weeks |
| Długość - Drut Ołowiany: | 3.00" (76.20mm) |
| szczegółowy opis: | NTC Thermistor 100k Bead |
| B25 / 85: | 4262K |
| B25 / 75: | 4247K |
| B25 / 50: | - |
| B25 / 100: | - |
| B0 / 50: | - |
| B Wartość Tolerancja: | ±1% |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 04T1003FF
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny