02013J0R3PBWTR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 02013J0R3PBWTR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 02013J0R3PBWTR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 02013J0R3PBWTR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
02013J0R3PBWTR
- Part Number:
- 02013J0R3PBWTR
- Producent:
- AVX Corporation
- Opis:
- CAP THIN FILM 0.3PF 25V 0201
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 37670 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 02013J0R3PBWTR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 25V |
| Tolerancja: | ±0.02pF |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.024" L x 0.013" W (0.60mm x 0.33mm) |
| Seria: | Accu-P® |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 0201 (0603 Metric) |
| Inne nazwy: | 478-2711-2 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 9 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.011" (0.28mm) |
| cechy: | RF, High Q, Low Loss |
| szczegółowy opis: | 0.3pF Thin Film Capacitor 25V 0201 (0603 Metric) |
| Pojemność: | 0.3pF |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 02013J0R3PBWTR
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash