TSM048NB06LCR RLG ay magagamit na ngayon!Ang teknolohiya ng LYNTEAM ay ang distributor ng stocking para sa TSM048NB06LCR RLG, mayroon kaming mga stock para sa agarang pagpapadala at magagamit din para sa mahabang supply ng mahabang panahon.Mangyaring ipadala sa amin ang iyong plano sa pagbili para sa TSM048NB06LCR RLG sa pamamagitan ng email, bibigyan ka namin ng pinakamahusay na presyo ayon sa iyong plano.
Bumili ng TSM048NB06LCR RLG sa LYNTEAM, i-save ang iyong pera at oras.
Ang aming email: [email protected].
TSM048NB06LCR RLG
- Numero ng Bahagi:
- TSM048NB06LCR RLG
- Manufacturer:
- TSC (Taiwan Semiconductor)
- Paglalarawan:
- MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
- Stock Quantity:
- 42552 Pieces
- Oras ng paghatid:
- 1-2 days
- Lead oras:
- 4-8 weeks
- Data sheet:
- TSM048NB06LCR RLG.pdf
pagpapakilala
Mga pagtutukoy
| Kondisyon | New & Original, tested |
|---|---|
| Bansang pinagmulan | Contact us |
| Pagmarka ng Code | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknolohiya: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier aparato Package: | 8-PDFN (5x6) |
| serye: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4.8 mOhm @ 16A, 10V |
| Power pagwawaldas (Max): | 3.1W (Ta), 136W (Tc) |
| packaging: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Kaso: | 8-PowerLDFN |
| Ibang pangalan: | TSM048NB06LCRRLGTR |
| operating Temperature: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Salalayan Type: | Surface Mount |
| Ang Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tagagawa Standard Lead Time: | 10 Weeks |
| Input Kapasidad (Ciss) (Max) @ Vds: | 6253pF @ 30V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 105nC @ 10V |
| Type FET: | N-Channel |
| FET Tampok: | - |
| Drive Boltahe (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Alisan ng tubig sa Source Boltahe (Vdss): | 60V |
| Detalyadong Paglalarawan: | N-Channel 60V 16A (Ta), 107A (Tc) 3.1W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6) |
| Current - Ang patuloy Drain (Id) @ 25 ° C: | 16A (Ta), 107A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Mga Kaugnay na bahagi para sa TSM048NB06LCR RLG
Latest News
- Ang kapasidad ng produksiyon ng HBM ay hindi kasama, ang memorya ng DRAM ay maaaring nasa maikling supply sa ikalawang kalahati ng taon
- Magtatapos ang mga tagapagtatag ng dingding, hbm o maging sanhi ng pagtaas muli ng dram
- AI Mobile Phone at PC pagpapalawak ng Demand, Global Semiconductor Manufacturing Industry Improvement
- Unawain ang mga pangangailangan ng ADAS at mga sistema ng pagsubaybay sa cabin para sa mga sensor ng imahe ng seguridad ng network
- Nabalitaan na ang Samsung at SK Hynix ay tumigil sa DDR3, at ang pagsipi ng promosyon ay tumaas ng 20 %
- Inilabas ng Melexis ang MLX90427: Kontrol ng linya sa bagong pagpipilian, ligtas, mahusay at matipid
- Ang ulat sa pananalapi ng NXP at Ansonmei ay inihayag, at ang presyo ng mga presyo ng tanso ay ipinadala sa industriya ng IC
- Ang Moels Micro Electronics ay nag -set up ng isang bagong tanggapan sa Taiwan, China upang mapalawak ang teritoryo ng negosyo
- Ang pagganap ng mga instrumento sa Texas ay dapat pa ring mapalakas, at ang dalawang pabrika ng imbakan ay nagtutulak ng mga bagong produkto ng memorya ng flash
- Ang unang quarter na ulat ng pinansiyal na ulat ng SEF Semiconductor (ST) ay bumababa, at ang demand para sa mga sasakyan ay bumagal
- Ang pagganap ng mga instrumento sa Texas ay dapat pa ring mapalakas, at ang dalawang pabrika ng imbakan ay nagtutulak ng mga bagong produkto ng memorya ng flash
- Lokal na dami ng mature na chip, Samsung Nand Flash Memory Production Kapasidad Malapit sa Pag -load