SIR888DP-T1-GE3
SIR888DP-T1-GE3
Numero ng Bahagi:
SIR888DP-T1-GE3
Manufacturer:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Paglalarawan:
MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8
Lead Free Status:
Lead libreng / RoHS compliant
Stock Quantity:
48511 Pieces
Oras ng paghatid:
1-2 days
Lead oras:
4-8 weeks
Data sheet:
SIR888DP-T1-GE3.pdf

pagpapakilala

SIR888DP-T1-GE3 ay magagamit na ngayon!Ang teknolohiya ng LYNTEAM ay ang distributor ng stocking para sa SIR888DP-T1-GE3, mayroon kaming mga stock para sa agarang pagpapadala at magagamit din para sa mahabang supply ng mahabang panahon.Mangyaring ipadala sa amin ang iyong plano sa pagbili para sa SIR888DP-T1-GE3 sa pamamagitan ng email, bibigyan ka namin ng pinakamahusay na presyo ayon sa iyong plano.
Bumili ng SIR888DP-T1-GE3 sa LYNTEAM, i-save ang iyong pera at oras.
Ang aming email: [email protected].

Mga pagtutukoy

Kondisyon New & Original, tested
Bansang pinagmulan Contact us
Pagmarka ng Code Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Vgs (Max):±16V
teknolohiya:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier aparato Package:PowerPAK® SO-8
serye:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:3.25 mOhm @ 15A, 10V
Power pagwawaldas (Max):5W (Ta), 48W (Tc)
packaging:Tape & Reel (TR)
Package / Kaso:PowerPAK® SO-8
Ibang pangalan:SIR888DP-T1-GE3TR
SIR888DPT1GE3
operating Temperature:-55°C ~ 150°C (TJ)
Salalayan Type:Surface Mount
Ang Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Lead Libreng Status / Katayuan ng RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Kapasidad (Ciss) (Max) @ Vds:5065pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:120nC @ 10V
Type FET:N-Channel
FET Tampok:-
Drive Boltahe (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Alisan ng tubig sa Source Boltahe (Vdss):25V
Detalyadong Paglalarawan:N-Channel 25V 40A (Tc) 5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Current - Ang patuloy Drain (Id) @ 25 ° C:40A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Quote

Numero ng Bahagi
Dami
Kumpanya
E-mail
Telepono
Mga komento