SIA811ADJ-T1-GE3 ay magagamit na ngayon!Ang teknolohiya ng LYNTEAM ay ang distributor ng stocking para sa SIA811ADJ-T1-GE3, mayroon kaming mga stock para sa agarang pagpapadala at magagamit din para sa mahabang supply ng mahabang panahon.Mangyaring ipadala sa amin ang iyong plano sa pagbili para sa SIA811ADJ-T1-GE3 sa pamamagitan ng email, bibigyan ka namin ng pinakamahusay na presyo ayon sa iyong plano.
Bumili ng SIA811ADJ-T1-GE3 sa LYNTEAM, i-save ang iyong pera at oras.
Ang aming email: [email protected].
SIA811ADJ-T1-GE3
- Numero ng Bahagi:
- SIA811ADJ-T1-GE3
- Manufacturer:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Paglalarawan:
- MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
- Lead Free Status:
- Lead libreng / RoHS compliant
- Stock Quantity:
- 47193 Pieces
- Oras ng paghatid:
- 1-2 days
- Lead oras:
- 4-8 weeks
- Data sheet:
- SIA811ADJ-T1-GE3.pdf
pagpapakilala
Mga pagtutukoy
| Kondisyon | New & Original, tested |
|---|---|
| Bansang pinagmulan | Contact us |
| Pagmarka ng Code | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| teknolohiya: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier aparato Package: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| serye: | LITTLE FOOT® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 116 mOhm @ 2.8A, 4.5V |
| Power pagwawaldas (Max): | 1.8W (Ta), 6.5W (Tc) |
| packaging: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Kaso: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Ibang pangalan: | SIA811ADJ-T1-GE3-ND SIA811ADJ-T1-GE3TR SIA811ADJT1GE3 |
| operating Temperature: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Salalayan Type: | Surface Mount |
| Ang Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lead Libreng Status / Katayuan ng RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Kapasidad (Ciss) (Max) @ Vds: | 345pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 13nC @ 8V |
| Type FET: | P-Channel |
| FET Tampok: | Schottky Diode (Isolated) |
| Drive Boltahe (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
| Alisan ng tubig sa Source Boltahe (Vdss): | 20V |
| Detalyadong Paglalarawan: | P-Channel 20V 4.5A (Tc) 1.8W (Ta), 6.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Current - Ang patuloy Drain (Id) @ 25 ° C: | 4.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Mga Kaugnay na bahagi para sa SIA811ADJ-T1-GE3
Latest News
- Ang kapasidad ng produksiyon ng HBM ay hindi kasama, ang memorya ng DRAM ay maaaring nasa maikling supply sa ikalawang kalahati ng taon
- Magtatapos ang mga tagapagtatag ng dingding, hbm o maging sanhi ng pagtaas muli ng dram
- AI Mobile Phone at PC pagpapalawak ng Demand, Global Semiconductor Manufacturing Industry Improvement
- Unawain ang mga pangangailangan ng ADAS at mga sistema ng pagsubaybay sa cabin para sa mga sensor ng imahe ng seguridad ng network
- Nabalitaan na ang Samsung at SK Hynix ay tumigil sa DDR3, at ang pagsipi ng promosyon ay tumaas ng 20 %
- Inilabas ng Melexis ang MLX90427: Kontrol ng linya sa bagong pagpipilian, ligtas, mahusay at matipid
- Ang ulat sa pananalapi ng NXP at Ansonmei ay inihayag, at ang presyo ng mga presyo ng tanso ay ipinadala sa industriya ng IC
- Ang Moels Micro Electronics ay nag -set up ng isang bagong tanggapan sa Taiwan, China upang mapalawak ang teritoryo ng negosyo
- Ang pagganap ng mga instrumento sa Texas ay dapat pa ring mapalakas, at ang dalawang pabrika ng imbakan ay nagtutulak ng mga bagong produkto ng memorya ng flash
- Ang unang quarter na ulat ng pinansiyal na ulat ng SEF Semiconductor (ST) ay bumababa, at ang demand para sa mga sasakyan ay bumagal
- Ang pagganap ng mga instrumento sa Texas ay dapat pa ring mapalakas, at ang dalawang pabrika ng imbakan ay nagtutulak ng mga bagong produkto ng memorya ng flash
- Lokal na dami ng mature na chip, Samsung Nand Flash Memory Production Kapasidad Malapit sa Pag -load